mask是什么意思(什么是4Mask、5Mask、6Mask、8Mask工艺)

时间:2020-05-05作者:admin分类:知识经验浏览:17评论:0

mask是什么意思(什么是4Mask、5Mask、6Mask、8Mask工艺)目前,非晶硅阵列基板通用的是5Mask或4Mask工艺,IGZ0金属氧化物阵列基板通用的是5Mask,6Mask或8Mask工艺。

如图1所示为非晶硅或IGZO阵列基板的5Mask工艺,主要用于TN,VA模式,具体步骤包括:

第一道光刻工艺:形成栅电极图形,其主要作为扫描线走线、面板周边配线、端子部金属以及一些标记图案(标记图案用于接下来工序的对位基准);

第二道光刻工艺:形成半导体图案,即非晶硅岛(或IGZ0半导体层),作为TFT沟道;

第三道光刻工艺:形成源漏金属层,主要包括数据线、TFT源漏电极;

第四道光刻工艺:形成接触孔,主要存在于TFT漏极、跳线处以及端子区;

第五道光刻工艺:形成ITO电极,主要作为像素电极、端子表面电极、跳线连接等。

以上五道Mask相对成熟,良率也较为稳定。

如图2所示为非晶硅或IGZO阵列基板的4Mask工艺,主要用于TN,VA模式。与5Mask工艺不同的是,4Mask工艺将半导体层与源漏金属层采用同一道Mask制作,但是这一道Mask与普通Mask不同,它能对不同位置的光刻胶施加不同程度的曝光量。这种Mask有两种,一种是半色调掩膜板(Half-Tone Mask),另一种是灰阶色调掩膜板(GrayTone Mask)。

4Mask区别于5Mask光刻工艺的步骤主要如下:

第一步:连续沉积非晶硅半导体层(或IGZO半导体层)和源漏金属层,非晶硅层采用CVD沉积(IGZO半导体层采用CVD成膜),而金属层采用PVD成膜。

第二步:涂布光刻胶。

第三步:对不需要金属的区域的源漏金属区的光刻胶进行曝光(不同的曝光量)、显影、刻蚀。金属采用湿刻,而非晶硅采用干刻(IGZO半导体层采用湿刻)。

第四步:对光刻胶进行灰化处理,暴露出沟道区金风,再进行金属湿刻以及n�Si干刻,并剥离光刻胶。

4Mask与5Mask相比较主要是少了一道Mask制作以及相应的光刻胶涂布、曝光机显影工艺,因而节省了制作成本。

如图3所示为IGZO阵列基板的6Mask工艺,主要用于VA模式。其具体步骤包括:

第一道光刻工艺:形成栅电极图形,其主要作为扫描线走线、面板周边配线、端子部金属以及一些标记图案(标记图案用于接下来工序的对位基准);

第二道光刻工艺:形成半导体图案,即IGZO半导体层,作为TFT沟道;

第三道光刻工艺:形成刻蚀阻挡层图案,防止在进行源漏电极湿刻时损伤TFT沟道的IGZO层;

第四道光刻工艺:形成源漏金属层,主要包括数据线、TFT源漏电极;

第五道光刻工艺:形成接触孔,主要存在于TFT漏极、跳线处以及端子区;

第六道光刻工艺:形成像素ITO电极,主要作为像素电极、端子表面电极、跳线连接等。

如图4所示为IGZO阵列基板的8Mask工艺,主要用于FFS模式。其具体步骤包括:

第一道光刻工艺:形成栅电极图形,其主要作为扫描线走线、面板周边配线、端子部金属以及一些标记图案(标记图案用于接下来工序的对位基准);

第二道光刻工艺:形成半导体图案,即IGZO半导体层,作为TFT沟道;

第三道光刻工艺:形成刻蚀阻挡层图案,防止在进行源漏电极湿刻时损伤TFT沟道的IGZO层;

第四道光刻工艺:形成源漏金属层,主要包括数据线、TFT源漏电极;

第五道光刻工艺:形成第一接触孔,主要存在于TFT极、跳线处以及端子区;

第六道光刻工艺:形成COM-ITO电极,主要作为跳连接COM电极等;

第七道光刻工艺:形成第二接触孔,主要存在于TFT极、跳线处以及端子区;

第八道光刻工艺:形成像素ITO电极,主要作为像素电极、端子表面电极、跳线连接等。

 

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